RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
45
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3901
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link