RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3288
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link