RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3742
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link