RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4014
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMN1150EC48D7W-800 1GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link