RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
4069
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link