RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
64
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
64
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2037
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link