RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
45
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2292
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link