RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
9.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
45
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2090
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link