RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
45
Wokół strony -105% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3264
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link