RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
99
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
99
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1358
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link