RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2393
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link