RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2494
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link