RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
53
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
53
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2703
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link