RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
45
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2915
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link