RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2252
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link