RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
45
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2903
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link