RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
57
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
57
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2886
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link