RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
45
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3146
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link