RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3285
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Elpida EBJ21UE8BBS0-AE-F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link