RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
84
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
84
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1486
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link