RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
45
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1881
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link