RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
46
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
46
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2961
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link