RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
45
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2532
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link