RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
58
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
58
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2025
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link