RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
58
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
58
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2025
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link