RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
54
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
54
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2938
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link