RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3482
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link