RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2913
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link