RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3004
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link