Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    45 left arrow 72
    Wokół strony 38% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    15.3 left arrow 12.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 12800
    Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    45 left arrow 72
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.3 left arrow 15.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.0 left arrow 8.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1992 left arrow 1593
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania