RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
45
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3480
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Inmos + 256MB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link