RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
3140
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link