RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
45
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2544
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link