RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
62
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
62
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
1891
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link