RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
43
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
11
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
40
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1730
1393
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link