RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
4182
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link