RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3886
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link