RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3025
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5471-028.A00LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link