RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2855
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link