RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
47
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2535
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link