RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3313
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link