RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
47
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3728
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link