RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
47
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
45
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3027
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ81UG8BAS0-DJ-F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link