RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
47
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3987
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston DDR3 1333G 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link