RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3933
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link