RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
47
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
4024
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link