RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
47
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
4170
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link