RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
91
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
91
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
1214
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link