RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
2690
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link