RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
47
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
19
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
3499
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link