RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
47
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
28
Prędkość odczytu, GB/s
9.3
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1413
1974
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link